IS43DR32160C-3DBL
512Mb DDR2 DRAM
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- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS43DR32160C-3DBL
- 商品编号
- C17204648
- 商品封装
- TWBGA-126(10.5x13.5)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR2 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 333.3MHz | |
| 存储容量 | 512Mbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | - | |
| 功能特性 | 内置锁相环；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品概述
ISSI的512Mb DDR2 SDRAM采用双数据速率架构以实现高速运行。双数据速率架构本质上是一种4n预取架构，其接口设计为在I/O引脚每个时钟周期传输两个数据字。
512Mb DDR2 SDRAM采用宽总线x32格式，旨在提供更小的占用空间并支持紧凑设计。
对DDR2 SDRAM的读写访问是面向突发的；访问从选定位置开始，并按照编程序列以4或8的突发长度继续。访问从激活命令的注册开始，随后是读或写命令。与激活命令同时注册的地址位用于选择要访问的存储体和行（BA0 - BA1选择存储体；A0 - A12选择行，A0 - A8选择列）。与读或写命令同时注册的地址位用于选择突发访问的起始列位置，并确定是否要发出自动预充电命令。在正常操作之前，必须对DDR2 SDRAM进行初始化。以下部分提供了有关设备初始化、寄存器定义、命令描述和设备操作的详细信息。
商品特性
- VDD = 1.8V ± 0.1V，VDDQ = 1.8V ± 0.1V，JEDEC标准1.8V I/O（与SSTL_18兼容）
- 双数据速率接口：每个时钟周期进行两次数据传输
- 差分数据选通（DQS，DQS（上划线）），4位预取架构
- 片上DLL，用于使DQ和DQS转换与CK对齐，4个内部存储体可并发操作
- 支持可编程CAS延迟（CL）3、4、5和6
- 支持延迟CAS和可编程附加延迟（AL）0、1、2、3、4和5
- 写延迟 = 读延迟 - 1 tCK，可编程突发长度：4或8
- 可调节数据输出驱动强度，有全强度和降低强度选项
- 片上终端（ODT）