温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

NDQ46PFI-7NET TR

4Gb (x16) DDR4 同步动态随机存取存储器

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 4Gb (x16) DDR4 Synchronous DRAM 是一款高性能的同步动态随机存取存储器，支持高速操作和多种功能，包括内部 VREFDQ 训练、快速时钟速率、可编程前导码和写入恢复时间等。
品牌名称: Insignis
商品型号: NDQ46PFI-7NET TR
商品编号: C17204582
商品封装: FBGA-96(7.5x13)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.414克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电流	-
	刷新电流	-
	工作温度	0℃~+95℃
	功能特性	写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

商品概述

DDR4 SDRAM是一种高速动态随机存取存储器，内部由8个存储体组成（2个存储体组，每组4个存储体）。DDR4 SDRAM采用8n预取架构以实现高速运行。8n预取架构与一个接口相结合，该接口设计为在I/O引脚每个时钟周期传输两个数据字。DDR4 SDRAM的单次读写操作包括在内部DRAM核心进行一次8n位宽、四个时钟的数据传输，以及在I/O引脚进行八次相应的n位宽、半个时钟周期的数据传输。

对DDR4 SDRAM的读写操作是突发式的，从选定位置开始，并按照编程顺序持续进行长度为8的突发或长度为4的“截断”突发。操作始于激活命令的注册，随后是读或写命令。与激活命令同时注册的地址位用于选择要激活的存储体组和行（BG0选择存储体组；BA0 - BA1选择存储体；A0 - A14选择行）。与读或写命令同时注册的地址位用于选择突发操作的起始列位置，确定是否要发出自动预充电命令（通过A10），并在模式寄存器启用的情况下“动态”选择BC4或BL8模式（通过A12）。

在正常操作之前，DDR4 SDRAM必须以预定义的方式加电并初始化。以下部分提供了有关设备复位和初始化、寄存器定义、命令描述和设备操作的详细信息。

商品特性

符合JEDEC标准
快速时钟速率：1333/1600MHz
电源：
- 扩展测试（ET）：Tc = 0 ~ 95°C
- 工业温度（IT）：Tc = -40 ~ 95°C
- 汽车应用（AT）：Tc = -40 ~ 105°C
VDD和VDDQ = +1.2V ± 0.06V
VPP = +2.5V - 0.125V / +0.25V
工作温度范围
支持JEDEC时钟抖动规范
双向差分数据选通，DQS和DQS#
差分时钟，CK和CK#
8个内部存储体：每组4个存储体，共2组
按存储体组分离的I/O门控结构
8n位预取架构
预充电和主动掉电
自动刷新和自刷新
低功耗自动自刷新（LPASR）
自刷新中止
精细粒度刷新
写电平调整
通过MPR进行DQ训练
支持1tCK和2tCK模式的可编程前导码
命令/地址（CA）奇偶校验
数据总线写循环冗余校验（CRC）
边界扫描模式
内部VREFDQ训练
读前导码训练
控制降速模式
每个DRAM可寻址性（PDA）
输出驱动器阻抗控制
动态ODT（RTT PARK、RTT_Nom和RTT_WR）
输入数据掩码（DM）和数据总线反相（DBI）
ZQ校准
命令/地址延迟（CAL）
异步复位
DLL启用/禁用
突发长度（BL8/BC4/BC4或动态选择8）
突发类型：顺序/交错
CAS延迟（CL）
CAS写延迟（CWL）
附加延迟（AL）：0、CL - 1、CL - 2
平均刷新周期：
- 8192周期/64ms（在 -40°C ≤ Tc ≤ +85°C时为7.8us）
- 8192周期/32ms（在 +85°C ≤ Tc ≤ +95°C时为3.9us）
- 8192周期/16ms（在 +95°C ≤ Tc ≤ +105°C时为1.95us）
数据接口：伪开漏（POD）
符合RoHS标准
硬封装后修复（hPPR）
软封装后修复（sPPR）
96球7.5×13×1.2mm FBGA封装
无铅和无卤素

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR4 SDRAM
	时钟频率(fc)	1.6GHz
	存储容量	4Gbit
	工作电压	1.14V~1.26V