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SI4925BDY-T1-GE3
SI4925BDY-T1-GE3
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4925BDY-T1-GE3
- 商品编号
- C17202667
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@4.5V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
应用领域
- 专为锂离子电池组设计
- 电池开关应用
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