商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | NPN |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 输入电阻 | 6.11kΩ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 0.5uA |
商品特性
- 单个UMT封装内包含两个DTC143T晶体管。
- MLBAWT-A1-R250-000VZ8
- TSDGLW
- KF88X-ED-9S-BRJ
- 630-25W3650-1NC
- SIT1602BC-72-25E-33.000000
- XQEAWT-H0-0000-00000U9F8
- XMLDCL-H0-0000-00A4ABC02
- 25QHM53D4.0-99.000
- SXO53C3B071-10.000M
- S3A2505-125.000-L-X-R
- FFS-20-10
- SFP-100-LC-SM15-C
- PRV6SAABJYB25225KA
- 7553-0-15-15-11-14-10-0
- 25QHM572D4.0-24.000
- 660-108MR01-5
- SIT8208AI-GF-18E-33.300000X
- 1776321-3
- 13-002750
- 1.10.001.001/0301
- SIT1602BC-31-18S-33.330000

