EMG1T2R
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | - | |
| 直流电流增益(hFE) | 56 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V@5mA,0.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA | |
| 输入电阻 | 28.6kΩ | |
| 电阻比率 | 1.2 | |
| 工作温度 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |
商品特性
- 两个DTC124E芯片封装于EMT、UMT或SMT封装中。
- 可将安装成本和面积减半。
应用领域
逆变器、接口、驱动器
- SG-8018CG 70.4550M-TJHPA0
- MX6AWT-H1-0000-000D53
- P160-823KS
- 532DC000990DG
- LTMM-120-01-T-D-SM
- 1N3288R
- FEMC004GTTG7-T13-16
- SIT9120AC-1B2-33S74.250000
- R4320
- SIT8208AI-81-25S-62.500000
- DH-17-CMB(6.6)(01)
- SXO75L3A171-100.000M
- GCM1555G1H3R5BA16J
- D38999/26JE26BA
- H100CYDL
- SIT8208AI-GF-28E-40.000000T
- DESP-JB9PF
- 1N5289UR-1
- 09663636811
- 2-292262-2
- MDM-51PBS-7-A174


