AS4C512M16D4-75BINTR
8Gb DDR4 SDRAM
- 品牌名称
- Alliance Memory
- 商品型号
- AS4C512M16D4-75BINTR
- 商品编号
- C17191649
- 商品封装
- FBGA-96(7.5x13)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.414克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.333GHz | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 工作电压 | 1.14V~1.26V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；输出使能；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品概述
DDR4 SDRAM是一种高速动态随机存取存储器，对于x4/x8配置，内部配置为16个存储体，分为4个存储体组，每个存储体组包含4个存储体；对于x16 DRAM配置，内部配置为8个存储体，分为2个存储体组，每个存储体组包含4个存储体。DDR4 SDRAM采用8n预取架构以实现高速操作。该架构与一个接口相结合，旨在在I/O引脚上每个时钟周期传输两个数据字。DDR4 SDRAM的单次读写操作包括在内部DRAM核心进行一次8n位宽、四个时钟的数据传输，以及在I/O引脚上进行八次相应的n位宽、半个时钟周期的数据传输。
对DDR4 SDRAM的读写操作是面向突发的，从选定位置开始，并按照编程序列以8的突发长度或4的“截断”突发长度继续进行。操作从激活命令的注册开始，随后是读或写命令。与激活命令同时注册的地址位用于选择要激活的存储体和行（x8中的BG0 - BG1和x16中的BG0选择存储体组；BA0 - BA1选择存储体；A0 - A15选择行；更多详细信息请参考寻址部分）。与读或写命令同时注册的地址位用于选择突发操作的起始列位置，确定是否要发出自动预充电命令（通过A10），以及如果在模式寄存器中启用，则“动态”选择BC4或BL8模式（通过A12）。
在正常操作之前，DDR4 SDRAM必须以预定义的方式上电并初始化。以下部分提供了有关设备复位和初始化、寄存器定义、命令描述和设备操作的详细信息。
对于上电和复位初始化，为防止DRAM运行不正常，定义了以下模式寄存器（MR）设置的默认值： 齿轮降速模式（MR3 A[3]）：0 = 1/2速率 每个DRAM可寻址性（MR3 A[4]）：0 = 禁用 最大节能模式（MR4 A[1]）：0 = 禁用 片选到命令/地址延迟（MR4 A[8:6]）：000 = 禁用 命令地址奇偶校验延迟模式（MR5 A[2:0]）：000 = 禁用
上电和初始化需要以下序列：
- 施加电源（建议将复位（RESET）保持在0.2×VDD以下；所有其他输入可以未定义）。复位需要在稳定电源下保持至少200微秒。在复位被释放之前的任何时间将时钟使能（CKE）拉低（最小时间10纳秒）。电源电压从300mV到VDD的斜坡时间最小不得大于200毫秒，并且在斜坡期间，VDD必须大于或等于VDDQ，并且（VDD - VDDQ）< 0.3V。VPP必须与VDD同时或更早地进行斜坡，并且VPP必须始终等于或高于VDD。
- VDD和VDDQ由单个电源转换器输出驱动，并且
- 除VDD、VDDQ、VSS、VSSQ之外的所有引脚上的电压电平在一侧必须小于或等于VDDQ和VDD，在另一侧必须大于或等于VSSQ和VSS
商品特性
- 密度：8G位
- 组织：
- 64M字×8位×16个存储体（AS4C1G8D4）
- 64M字×16位×8个存储体（AS4C512M16D4）
- 封装：
- x8采用78球FBGA封装；x16采用96球FBGA封装
- 无铅（符合RoHS标准）且无卤素
- 电源：
- VDD、VDDQ = 1.2V ± 60mV
- VPP = 2.5V，-125mV / +250mV
- 数据速率：2133Mbps/2400Mbps/2666Mbps
- X8的页大小为1KB；X16的页大小为2KB
- 行地址：A0到A15
- 列地址：A0到A9
- x8有16个存储体（4个存储体组，每个存储体组4个存储体）；x16有8个存储体（2个存储体组，每个存储体组4个存储体）
- 突发长度（BL）：BL8、BC4、动态选择BC4或8
- 突发类型（BT）：顺序、交错
- CAS延迟（CL）：9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21
- CAS写延迟（CWL）：9、10、11、12、14、16、18
- 附加延迟（AL）：0、CL - 1、CL - 2
- 片选到命令地址延迟（AL）：3、4、5、6、8
- 命令地址奇偶校验延迟：4、5、6
- 写恢复时间：10、12、14、16、18、20、24
- 驱动强度：RZQ/7、RZQ/5（RZQ = 240Ω）
- RTT PARK（34/40/48/60/80/120/240）
- RTT_NOM（34/40/48/60/80/120/240）
- RTT_WR（80/120/240）
- 读前导码（1T/2T）
- 写前导码（1T/2T）
- LPASR（手动：正常/降低/扩展，自动：TS）
- 刷新周期（平均刷新周期）：
- 在 -40°C ≤ Tc ≤ +85°C时为7.8μs
- 在 +85°C < Tc ≤ +95°C时为3.9μs
- 工作外壳温度范围：
- 商业级：Tc = 0°C到 +95°C
- 工业级：Tc = -40°C到 +95°C