温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

AS4C128M8D3B-12BAN

1Gb DDR3同步动态随机存取存储器

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: Alliance Memory
商品型号: AS4C128M8D3B-12BAN
商品编号: C17191661
商品封装: FBGA-78(8x10.5)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.562克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电流	-
	刷新电流	-
	工作温度	-40℃~+105℃
	功能特性	写入均衡功能；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

商品概述

1Gb DDR3双倍数据速率随机存取存储器采用双倍数据速率架构以实现高速运行，内部配置为八组DRAM。1Gb芯片被组织为16Mbit x 8个输入输出端 x 8组设备。这些同步设备在一般应用中能实现高达1600Mb/秒/引脚的高速双倍数据速率传输。该芯片设计符合所有关键的DDR3 DRAM特性，所有控制和地址输入与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升和CK#下降）被锁存。所有输入输出端以源同步方式与差分DQS对同步。这些设备使用单一的1.5V ±0.075V电源供电，并采用BGA封装。DDR3 SDRAM是一种高速动态随机存取存储器，内部配置为八组DRAM。它采用8n预取架构以实现高速运行。8n预取架构与一个设计用于在输入输出引脚每个时钟周期传输两个数据字的接口相结合。对DDR3 SDRAM的单次读写操作包括在内部DRAM核心进行一次8n位宽、四个时钟的数据传输，以及在输入输出引脚进行两次相应的n位宽、半个时钟周期的数据传输。对DDR3 SDRAM的读写操作是面向突发的，从选定位置开始，并按照编程序列连续进行八个突发长度或四个“截断”突发的操作。操作从激活命令的注册开始，随后是读或写命令。与激活命令同时注册的地址位用于选择要激活的组和行（BA0 - BA2选择组；A0 - A13选择行）。与读或写命令同时注册的地址位用于选择突发操作的起始列位置，确定是否要发出自动预充电命令（通过A10），并在模式寄存器启用的情况下“即时”选择BC4或BL8模式（通过A12）。在正常操作之前，DDR3 SDRAM必须以预定义的方式上电并初始化。

商品特性

符合JEDEC标准
符合AEC - Q100标准
电源：VDD和VDDQ = +1.5V ±0.075V
工作温度：TC = -40 ~ 105°C（汽车级）
支持JEDEC时钟抖动规范
完全同步操作
快速时钟速率：800MHz
差分时钟，CK和CK#
双向差分数据选通
8个内部组用于并发操作
8n位预取架构
流水线内部架构
预充电和主动掉电
可编程模式和扩展模式寄存器
附加延迟（AL）：0、CL - 1、CL - 2
可编程突发长度：4、8
突发类型：顺序/交错
输出驱动器阻抗控制
平均刷新周期：
- 8192周期/64ms（在 - 40°C ≤ TC ≤ +85°C时为7.8us）
- 8192周期/32ms（在 +85°C ≤ TC ≤ +95°C时为3.9us）
- 8192周期/16ms（在 +95°C ≤ TC ≤ +105°C时为1.95us）
写电平调整
ZQ校准
动态片上终端（Rtt_Nom和Rtt_WR）
符合RoHS标准
自动刷新和自刷新
在TC > 95°C时不支持自刷新功能
78球8×10.5×1.0mm FBGA封装
无铅和无卤素

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR3 SDRAM
	时钟频率(fc)	800MHz
	存储容量	1Gbit
	工作电压	1.425V~1.575V