商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 6个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 277W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.507nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 108pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 2.092nF |
商品特性
- 功率半导体
- 超低 RD Son
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 雪崩能量额定
- 高耐用性
- 开尔文源极,易于驱动
- 极低杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接的引线框架
- 高集成度
应用领域
-交流开关-开关模式电源-不间断电源
- 516-038-500-456
- DK662GXA
- 0462075108
- SIT9365AI-1B1-28E250.000000
- ST-6-36
- AMD27C256-120DC
- 5962-9085401KPA
- JANS1N5551US/TR
- 1969729-5
- 4259-4-00-01-00-00-03-0
- 600J005-1D14P1
- 5022R-114H
- 2-292215-6
- 68B-115-8
- SIT8225AI-8F-33E-25.000000T
- SIT8208AI-G2-18S-75.000000X
- 78153074
- SIT1602BC-31-25E-77.760000
- PR2-152-JTW
- D09P91C8PV00LF
- 78207-508