商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 6个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V,14A | |
| 耗散功率(Pd) | 277W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@2mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.507nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 108pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 2.092nF |
商品特性
-功率半导体-超低导通电阻RDS(ON)-低米勒电容-超低栅极电荷-雪崩能量额定-非常坚固耐用-开尔文源极,易于驱动-极低杂散电感-对称设计-用于电源连接的引线框架-高集成度
应用领域
-交流开关-开关模式电源-不间断电源
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