SQJ974EP-T1_BE3
2个N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ974EP-T1_BE3
- 商品编号
- C17188289
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 16W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 550pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- N沟道MOSFET
应用领域
- 负载开关
- 脉宽调制(PWM)应用
- 0344-3-19-01-34-01-10-0
- 660-023M15R5-108
- SIT9365AC-1E3-25E156.250000
- 09195306322
- DKF303N3
- 450-014
- AX100642
- SIT8208AI-31-33E-35.840000
- SIT8208AI-32-18S-33.333000
- SIT8008BI-73-33E-36.864000
- SG-8002CA 11.0592M-PCBB
- FP1108L1-R105-R
- M80-7541242
- 3408-2-00-80-00-00-03-0
- 74LS491ANS
- 1N5404GP-E3/54
- M85049/139-32A
- SG-8018CA 50.0633M-TJHSA0
- TEM-125-02-03.0-H-D
- 0326-2-19-01-06-01-10-0
- SFH213-PPVC-D06-ID-BK

