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SIZ998DT-T1-GE3
2个N沟道 耐压:30V 电流:60A
- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 SkyFET低端MOSFET，集成肖特基二极管。 100% Rg和UIS测试。应用：CPU核心电源。 计算机/服务器外设
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIZ998DT-T1-GE3
- 商品编号
- C17192406
- 商品封装
- PowerPAlR6x5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1197克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 32.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 集成肖特基二极管的SkyFET低端MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 材料分类:有关合规性定义,请参阅www.vishay.com/doc?99912
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-CPU核心电源-计算机/服务器外设-负载点(POL)-同步降压转换器-电信DC/DC电源
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