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DMG1026UVQ-7实物图
  • DMG1026UVQ-7商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMG1026UVQ-7

2个N沟道 耐压:60V 电流:440mA

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMG1026UVQ-7
商品编号
C17188049
商品封装
SOT-563​
包装方式
编带
商品毛重
0.024克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)440mA
导通电阻(RDS(on))1.8Ω@10V
耗散功率(Pd)580mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.8V
栅极电荷量(Qg)0.45pC
输入电容(Ciss)32pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

一款600 W LDMOS射频功率晶体管,适用于广播发射机应用和工业应用。该器件出色的坚固性使其非常适合数字和模拟发射机应用。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 低输入/输出泄漏电流
  • 完全无铅且符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,“绿色”器件
  • 适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)能力,并在通过IATF16949认证的工厂制造。

应用领域

  • 电池供电系统和固态继电器
  • 驱动器:继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器、晶体管等
  • DC-DC转换器
  • 电源管理功能

数据手册PDF