商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 208A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 781W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 280nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 4.66nF |
商品概述
这些N沟道增强型功率MOSFET采用先进的拼接栅极沟槽技术设计，具有出色的导通电阻（Rdson）和低栅极电荷，符合RoHS标准。
商品特性
- 功率 MOS 7 个 MOSFET
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 雪崩能量额定值
- 非常坚固耐用
- 开尔文源极,便于驱动
- 极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接的引线框架
- 内置热敏电阻,用于温度监测
- 高度集成
应用领域
-交流和直流电机控制-开关模式电源-功率因数校正
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