SI7374DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:24A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7374DP-T1-GE3
- 商品编号
- C17183571
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 5W；56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 122nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 测试
应用领域
- DC/DC 转换
- CPU 核心低端
- 次级同步整流
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