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SQJ963EP-T1_GE3
2个P沟道 耐压:60V 电流:8A
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- 描述
- 特性：按照IEC 61249-2-21定义为无卤产品。 TrenchFET功率MOSFET。 通过AEC-Q101认证。 100%进行Rg和UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ963EP-T1_GE3
- 商品编号
- C17180464
- 商品封装
- SO-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.336364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.14nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 通过 AEC-Q101 认证
- 100% 进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理
- DA1206E300R-10
- 194018-1
- SCRH62-7R1
- CPPC7LZ-A7BR-24.576TS
- TFC-120-22-L-D-A-K
- 570ACA002280DG
- GP55-6653-FBW
- HTST-107-01-LM-DV-A-P-TR
- SIT8208AI-83-18E-37.500000
- EVB-LIV4F
- CPPC7-A7BR-20.0TS
- 0878324022
- SG-8018CB 26.5942M-TJHSA0
- SBH51-LPSE-D46-SP-BK
- SI-MAGB1SMCO W/30
- CMB1516-R108-000N0U0A30H
- 163A14149X
- XPPAWT-H0-0000-000HU30CV
- P9A2R0P0FFRX1103KA
- NBR-0094
- STM03711500PCQ