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SQJ963EP-T1_GE3
2个P沟道 耐压:60V 电流:8A
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- 描述
- 特性：按照IEC 61249-2-21定义为无卤产品。 TrenchFET功率MOSFET。 通过AEC-Q101认证。 100%进行Rg和UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ963EP-T1_GE3
- 商品编号
- C17180464
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.336364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.14nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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