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WPM9435
停产 1个P沟道 耐压:30V 电流:5.5A
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- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WPM9435
- 商品编号
- C167140
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.123克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 66mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
WPM9435是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路。
商品特性
- -30V / -5A,RDS(ON) = 36mΩ(VGS = -10V时)
- -30V / -4A,RDS(ON) = 53mΩ(VGS = -4.5V时)
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- SOP - 8P封装设计
应用领域
-笔记本电脑电源管理-便携式设备-电池供电系统-DC/DC转换器-负载开关