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2N7002K
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
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- 品牌名称
- FMS(美丽微)
- 商品型号
- 2N7002K
- 商品编号
- C163140
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4.5V,200mA | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 35pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品特性
- 栅源电压（VGS）为10 V、漏极电流（ID）为500 mA时，导通电阻（RDS(ON)） = 3.0 Ω
- 栅源电压（VGS）为4.5 V、漏极电流（ID）为200 mA时，导通电阻（RDS(ON)） = 4.0 Ω
- 静电放电（ESD）防护能力达2 KV（人体模式）
- 采用先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计实现超低导通电阻。
- 关断状态下漏电流极低
- 符合欧盟RoHS 2002/95/EC指令。
- 后缀“-H”表示无卤产品，例如2N7002K-H。