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NCE0103M
1个N沟道 耐压:100V 电流:3A
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- 描述
- N沟道，100V，3A，160毫欧
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE0103M
- 商品编号
- C161844
- 商品封装
- SOT-89-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.151克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
BLM8205采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V, ID = 3A
- RDS(ON) < 160 m Ω @ VGS = 10 V (典型值:136 m Ω )
- RDS(ON) < 170 m Ω @ VGS = 4.5 V (典型值:140 m Ω )
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 出色的封装,散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源