CL10B103KB85PND

电容，10nF，50V，±10%，X7R，0603，符合AEC - Q200标准

• 电容是电荷变化与电压变化的比值，建议根据文档中指定的电压和频率测量电容，测量需遵循文档中“C可靠性测试条件 - 电容”部分。
• 建议使用带有ALC（自动电平控制）选项的测量设备，测量前需确保测量设备的输出电压与设定电压相同。
• 高介电常数（II类）MLCC的电容值会随施加的交流和直流电压变化，应用于实际电路时需考虑其交流电压特性和直流偏置电压特性。
• 电容符合EIA RS - 198 - 1 - F - 2002标准。
• 理想MLCC的能量损耗为零，实际MLCC存在介电损耗和电极电阻损耗，DF（损耗因数）定义为损耗能量与存储能量之比，通常以百分比计算。
• 品质因数（Q因数）定义为存储能量与损耗能量之比，公式为1/DF，I类MLCC的损耗特性通常用Q表示，II类MLCC的损耗特性通常用DF表示。
• 建议在需要良好线性度和低损耗的应用中使用I类MLCC，如耦合电路、滤波电路和时间常数电路。
• 陶瓷介质由于具有高绝缘性能，在直流电压下漏电流较低。