CL10B103KB8NNND

多层陶瓷电容器，电容值10nF，电压50V，容差±10%，温度特性X7R，封装尺寸0603

• 电容是电荷随电压变化的比率，建议根据文档中规定的电压和频率测量电容。
• 建议使用带有自动电平控制（ALC）选项的测量设备。
• 高介电常数（II类）多层陶瓷电容器的电容值会随交流和直流电压的施加而变化。
• 电容符合EIA RS - 198 - 1 - F - 2002标准。
• 理想的多层陶瓷电容器能量损耗为零，但实际的多层陶瓷电容器存在介电损耗和电极电阻损耗。损耗因数（DF）定义为损耗能量与存储能量的比率，通常以百分比计算。
• 品质因数（Q因数）定义为存储能量与损耗能量的比率，公式为1/DF。通常I类多层陶瓷电容器的损耗特性用Q表示，因为其DF值很小，而II类多层陶瓷电容器的损耗特性用DF表示。
• 建议在需要良好线性度和低损耗的应用中使用I类多层陶瓷电容器，如耦合电路、滤波电路和时间常数电路。