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DMG1016V-7
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:870mA
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 低栅极阈值电压：VGS(th) < 1V。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 互补对MOSFET。 超小表面贴装封装。 无铅/符合RoHS标准。 ESD保护栅极至2.5kV HBM。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG1016V-7
- 商品编号
- C161616
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 870mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@4.5V,430mA | |
| 耗散功率(Pd) | 530mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 736.6pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 60.67pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 12.07pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
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