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RU1Z200Q
1个N沟道 耐压:150V 电流:200A
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- 描述
- N-Channel 150V/200A 5.5mΩ@10V TO-247
- 品牌名称
- Ruichips(锐骏半导体)
- 商品型号
- RU1Z200Q
- 商品编号
- C155493
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.425克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 600W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 390nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 630pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.42nF |
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) = 5.5 mΩ（典型值）
- 150V/200A
- 超低导通电阻
- 出色的dv/dt能力
- 快速开关且全雪崩额定
- 100%雪崩测试
- 175°C工作温度
- 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 开关电源中的高效同步整流
- 高速功率开关
- 电源