AD586LQ

AD586代表了先进的单片电压基准源的重大进步。采用专有的离子注入掩埋齐纳二极管和高稳定性薄膜电阻的激光晶圆微调技术，AD586以低成本提供了出色的性能。 AD586比大多数其他5V基准源具有更高的性能。由于AD586采用行业标准引脚排列，许多系统可以立即用AD586进行升级。 与带隙电压基准源相比，掩埋齐纳二极管的基准源设计方法具有更低的噪声和漂移。AD586提供一个降噪引脚，可用于进一步降低掩埋齐纳二极管产生的噪声水平。 建议将AD586用作需要外部精密基准源的8位、10位、12位、14位或16位DAC的基准源。该器件也非常适合精度高达14位的逐次逼近型或积分型ADC，并且通常比标准片上基准源具有更好的性能。 AD586J、AD586K、AD586L和AD586M规定的工作温度范围为0°C至70°C；AD586A和AD586B规定的工作温度范围为 -40°C至 +85°C；AD586S和AD586T规定的工作温度范围为 -55°C至 +125°C。 AD586J、AD586K、AD586L和AD586M采用8引脚PDIP封装；AD586J、AD586K、AD586L、AD586A和AD586B采用8引脚SOIC封装；AD586J、AD586K、AD586L、AD586S和AD586T采用8引脚CERDIP封装。

• 激光微调至高精度
• 5.000 V ±2.0 mV（M级）
• 微调温度系数：0°C至70°C时最大2 ppm/°C（M级）； -40°C至 +85°C时最大5 ppm/°C（B和L级）； -55°C至 +125°C时最大10 ppm/°C（T级）
• 低噪声，100 nV/√Hz
• 降噪能力
• 输出微调能力
• 提供符合MIL - STD - 883标准的版本
• 提供工业温度范围的SOIC封装产品
• 输出能够提供或吸收10 mA电流