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DG303BDY-E3
CMOS模拟开关
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- 描述
- DG300B、DG303B 系列单片 CMOS 开关具备三种开关配置选项（单刀单掷、单刀双掷和双刀单掷），适用于通信、仪器仪表和过程控制等精密应用，这些应用需要低泄漏开关与低功耗相结合。这些开关采用 Vishay Siliconix PLUS - 40 CMOS 工艺设计，具有抗闩锁特性，关断时可承受高达 30 V 的峰 - 峰值电压。外延层可防止闩锁
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- DG303BDY-E3
- 商品编号
- C1546221
- 商品封装
- SOIC-14
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 模拟开关/多路复用器 | |
| 开关电路 | 2:1 | |
| 工作电压 | 15V | |
| 导通时间(ton) | 150ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(Ron) | 30Ω | |
| 关闭时间(toff) | 130ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 导通电容(Con) | 40pF |
商品概述
DG300B、DG303B 系列单片 CMOS 开关具备三种开关配置选项（单刀单掷、单刀双掷和双刀单掷），适用于通信、仪器仪表和过程控制等精密应用，这些应用需要低泄漏开关和低功耗。 这些开关采用 PLUS - 40 CMOS 工艺设计，具有抗闩锁特性，关断时可承受高达 30 V 的峰峰值电压。外延层可防止闩锁。 开关导通时，双向导通性能相同（无失调电压），且低导通电阻可将误差降至最低。 这些开关具有低功耗（典型值 3.5 mW）的特点，非常适合电池供电的应用，且不会牺牲开关速度。这些器件采用先断后通的开关动作设计，与 CMOS 和准 TTL 兼容。将 V - 轨连接到 0 V 即可实现单电源供电。
商品特性
- 模拟信号范围：± 15 V
- 快速开关 - 导通时间：150 ns
- 低导通电阻 - RDS(ON)：30 Ω
- 单电源供电
- 抗闩锁
- 与 CMOS 兼容
应用领域
- 低电平开关电路
- 可编程增益放大器
- 便携式和电池供电系统
优惠活动
购买数量
(550个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个550个/管
总价金额：
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