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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 100@500mA,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 650mV@2A,200mA | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品特性
- 集电极-发射极截止电压（BVCEO） = -30V
- 集电极电流（IC） = -1A（连续电流）
- 低饱和电压VCE(sat) < -0.35V（集电极电流为 -1A 时）
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
交货周期
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