ISL6627IRZ

ISL6627 是一款高频 MOSFET 驱动器，设计用于在同步整流降压转换器拓扑中驱动上管和下管 N 沟道 MOSFET。ISL6627 的先进 PWM 协议专门设计用于与 Intersil VR11.1、VR12 控制器配合工作，并结合 N 沟道 MOSFET 形成适用于高级微处理器的完整核心电压调节解决方案。当 ISL6627 检测到由 Intersil VR11.1 或 VR12 控制器发送的 PSI 协议时，它会激活二极管仿真（DE）操作；否则，它将在正常连续导通模式（CCM）PWM 模式下运行。

为了进一步提高轻负载效率，ISL6627 在 PSI 模式期间启用二极管仿真操作。这通过检测电感电流达到零时并随后关闭低侧 MOSFET 以防止其吸收电流来实现不连续导通模式（DCM）。

当 ISL6627 检测到来自 PWM 的二极管制动命令时，它会关闭两个栅极并减少负载瞬态情况下的过冲。

集成的先进自适应直通保护功能可以防止上管和下管 MOSFET 同时导通，并最小化死区时间。用户还可以选择将驱动器设置为固定传播延迟模式，以优化调节器效率。ISL6627 内置了一个 20 kΩ 的高侧栅极到源极电阻，以防止由于高输入总线 dV/dt 引起的自开启。

• 兼容Intersil VR11.1和VR12
• 用于同步整流桥的双MOSFET驱动器
• 先进的自适应零直通保护
• 可编程固定死区时间以优化效率
• 待机偏置电流低
• 36V内部自举二极管
• 防止自举电容过充
• 支持高开关频率 - 4A吸电流能力 - 快速上升/下降时间和低传播延迟
• 集成高压侧栅极到源极电阻，防止由于高输入总线dV/dt导致的自开启
• 电源轨欠压保护
• 可扩展的底部铜垫以增强散热
• 双扁平10引脚（3x3 DFN）封装 - 接近芯片级封装尺寸；提高PCB效率并减薄厚度
• 无铅（符合RoHS标准）

• 高光负载效率电压调节器
• 高级微处理器的核心调节器
• 高电流 DC/DC 转换器
• 高频率和高效率的 VRM 和 VRD