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HMC349AMS8GE
高隔离度、非反射型GaAs单刀双掷开关
- 描述
- 高隔离度、非反射、GaAs、SPDT开关，100MHz至4GHz
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- HMC349AMS8GE
- 商品编号
- C1526235
- 商品封装
- MSOP-8-EP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 电路结构 | 单刀双掷 | |
| 频率 | 0Hz~4GHz | |
| 隔离度 | 50dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 1.2dB | |
| P1dB | 34dBm | |
| 工作电压 | 5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品特性
- 非反射式，50 Ω 设计
- 高隔离度：57 dB 至 2 GHz
- 低插入损耗：0.9 dB 至 2 GHz
- 高输入线性度 1 dB 功率压缩点（P1dB）：典型值 34 dBm
- 三阶截点（IP3）：典型值 52 dBm
- 高功率处理能力：通过路径 33.5 dBm，终止路径 26.5 dBm
- 单正电源：3 V 至 5 V
- CMOS/TTL 兼容控制
- 全关闭状态控制
- 8 引脚 mini small outline 封装，带裸露焊盘（MINI_SO_EP）
应用领域
- 蜂窝/4G基础设施
- 无线基础设施
- 移动无线电
- 测试设备