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VND5N07-E
全自保护型功率MOSFET
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- 描述
- OMNIFET：全自动保护功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- VND5N07-E
- 商品编号
- C1519162
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 高侧开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 | |
| 最大连续电流 | 3.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 0V~18V | |
| 导通电阻 | 200mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 特性 | 过热保护(OTP)；短路保护(SCP) |
商品概述
VND5N07-E是一款采用VIPower M0技术设计的单片器件，旨在用于直流至50 KHz应用中替代标准功率MOSFET。内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境下保护芯片。通过监测输入引脚的电压可以检测故障反馈。
商品特性
-线性电流限制-热关断-短路保护-集成钳位-输入引脚电流消耗低-通过输入引脚进行诊断反馈-ESD保护-直接连接功率MOSFET的栅极(模拟驱动)-与标准功率MOSFET兼容