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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 存储器控制器 | |
| 存储器控制器类型 | 电源监控器 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 4.75V~5.5V | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
商品概述
MXD1210 非易失性RAM控制器是一种超低功耗的CMOS电路，可以将标准（易失性）CMOS RAM转换为非易失性存储器。它还持续监控电源，在RAM电源处于临界（超出容差）状态时提供RAM写保护。当电源开始失效时，RAM被写保护，设备切换到电池备份模式。
- 电池备份
- 存储器写保护
- 230μA工作模式静态电流
- 2nA备份模式静态电流
- 电池新鲜度密封
- 可选冗余电池
- VCC电源开关上的低正向电压降
- 5%或10%电源故障检测选项
- 在上电时测试电池状态
- 提供8引脚SO封装
应用领域
- 微处理器系统
- 计算机
- 嵌入式系统
交货周期
订货25-27个工作日购买数量
(100个/管，最小起订量 1000 个)个
起订量：1000 个100个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单