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BGS15MU14E6327XTSA1

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描述: 专为 LTE 和 5G 反馈接收应用而设计，在高达 6 GHz 的频率下提供高隔离度、低插入损耗和低谐波生成。它通过 MIPI RFFE 控制器进行控制。片上控制器允许电源电压范围为 1.65 至 1.95 V。与 GaAs 技术不同，仅当外部施加直流电压时，才需要在 RF 端口使用外部直流阻隔电容器。采用英飞凌专利的 MOS 技术制造，兼具 GaAs 的性能以及传统 CMOS 的经济性和集成度，包括固有的更高 ESD 鲁棒性。该器件尺寸非常小，仅为 1.9×1.5 mm²，最大厚度为 0.6 mm。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: BGS15MU14E6327XTSA1
商品编号: C1518969
商品封装: ULGA-14
包装方式: 编带
商品毛重: 0.35克(g)

商品概述

BGS15MU14射频CMOS开关专为LTE和5G反馈接收应用而设计。它在高达6 GHz的频率下具有高隔离度、低插入损耗和低谐波产生特性。该开关通过MIPI RFFE控制器进行控制。片上控制器支持1.65至1.95 V的电源电压。与砷化镓（GaAs）技术不同，只有在外部施加直流电压时，才需要在射频端口使用外部直流隔直电容。BGS15MU14射频开关采用英飞凌（Infineon）的专利MOS技术制造，兼具砷化镓的性能以及传统CMOS的经济性和集成度，还具有更高的静电放电（ESD）鲁棒性。该器件尺寸极小，仅为1.9×1.5 mm²，最大厚度为0.6 mm。

商品特性

输入功率高达20 dBm时具有高线性度
快速开关速度（180 ns）
在高达6.0 GHz频率下具有低插入损耗和高端口间隔离度
低电流消耗
符合MIPI RFFE 2.1标准的控制接口
超薄无引脚塑料封装
小尺寸1.5mm x 1.9mm（根据JEDEC J - STD - 020标准，湿度敏感度等级1，260℃）
符合RoHS和WEEE标准的封装

应用领域

功率放大器（PA）模块的反馈接收信号路由
适用于高达6 GHz的LTE和5G的高隔离通用接收单刀五掷（SP5T）开关

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	属性	参数值
	商品目录	射频开关
	频率	400MHz~6GHz
	隔离度	48dB

	属性	参数值
	插入损耗	1.05dB
	工作电压	1.65V~1.95V
	工作温度	-40℃~+85℃