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F1956NBGI8
7位、0.25dB宽带数字步进衰减器，频率范围1至6000 MHz
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- 描述
- 该设备采用紧凑的5×5mm 32引脚封装，输入和输出阻抗为50Ω，便于集成到无线电或RF系统中。具有高可靠性，插入损耗低、失真小，衰减水平精确，能提高系统SNR和/或ACLR，并行模式下建立时间快，在整个衰减范围内无干扰。具备最低插入损耗以实现最佳SNR，采用无干扰技术，可在衰减状态转换期间保护PA或ADC，衰减水平极其精确，超低失真，达到MSL1和2000V HBM ESD标准。
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- F1956NBGI8
- 商品编号
- C1511898
- 商品封装
- QFN-32-EP(5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF衰减器 | |
| 频率范围 | 1MHz~6GHz | |
| 功率 | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阻抗 | 50Ω | |
| 衰减值 | 31.75dB | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
商品特性
- 高可靠性，采用QFN封装的单片硅芯片构建
- 最低插入损耗，以实现最佳SNR
- Glitch-FreeTM技术，在衰减状态之间转换时保护PA或ADC
- 极其精确的衰减水平
- 超低失真
- MSL1和2000V HBM ESD
- 串行和7位并行接口
- 31.75dB范围
- 0.25dB步进
- Glitch-FreeTM：低瞬态过冲
- 500ns建立时间
- 超线性IIP3 > 64dBm
- 4GHz时插入损耗 < 1.7dB
- 4GHz时衰减误差 < ±0.2dB
- 双向RF使用
- 3.3V或5V电源
- 1.8V或3.3V控制逻辑
- 低电流消耗：典型值350μA
- 工作温度范围：-40°C至+105°C
- 5×5 mm薄型32-QFN封装
应用领域
- 基站(BTS)无线卡
- 许多其他非BTS应用