F1129MBNELI8
3.0GHz至4.2GHz高增益RF放大器
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- 描述
- 单端输入/差分输出3.0GHz至4.2GHz高增益RF放大器,具有阻抗转换、高增益、高线性和低噪声性能。
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- F1129MBNELI8
- 商品编号
- C1511913
- 商品封装
- QFN-12-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
F1129MB 是一款单端输入/差分输出的 3GHz 至 4.2GHz 高增益 RF 放大器。阻抗转换、高增益、高线性度和低噪声性能的结合,使该器件成为各种接收器应用的理想放大器。 F1129MB 经过优化,可在单 5V 电源和标称 60mA 的 ICC 下工作。在 3.55GHz 下工作时,F1129MB 可提供典型值为 19dB 的增益、1.8dB 的噪声系数和 +32dBm 的 OIP3。 F1129MB 与瑞萨的 F1129xx 系列 RF 放大器引脚兼容,提供了额外的频率和输出阻抗选项。每个 F1129 变体均采用 2×2mm、12 引脚 DFN 封装,具有 50Ω 单端 RF 输入和 100Ω 差分 RF 输出阻抗,便于集成到信号路径中。
商品特性
- RF 范围:3.0GHz 至 4.2GHz
- 在 3.55GHz 时增益 = 19dB
- 在 3.55GHz 时噪声系数 ≤ 1.8dB
- 在 3.55GHz 时 OIP3 = +32dBm
- 在 3.55GHz 时输出 P1dB = +18dBm
- 典型温度范围内增益变化 = ±0.15dB
- 50Ω 单端输入阻抗
- 100Ω 差分输出阻抗
- 3.3V 或 5V 电源
- 在 5V 时 ΔICC = 60mA
- 1.3mA 待机电流
- 支持 1.8V 和 3.3V 逻辑用于 STBY 控制
- 工作温度 (TEP) 范围:-40℃ 至 +115℃
- 2×2mm、12 引脚 DFN 封装
应用领域
- 5G / 大规模 MIMO 基站
- 4G TDD 和 FDD 基站
- 2G/3G 基站
- 中继器和分布式天线系统 (DAS)
- 点对点基础设施
- 公共安全基础设施
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单

