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KMB3D0P30SA-RTK/P
1个P沟道 耐压:30V 电流:3A
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- 描述
- P沟道 30V 3A
- 品牌名称
- KEC
- 商品型号
- KMB3D0P30SA-RTK/P
- 商品编号
- C147285
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@4.5V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 365pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 72pF |
商品概述
这款沟槽式 MOSFET 具有更优的特性，如开关时间快、导通电阻低、栅极电荷低以及出色的雪崩特性。它主要适用于便携式设备。
商品特性
- VDSS = -30 V， ID = -3 A
- 漏源导通电阻
- RDS(ON) = 80 mΩ（最大值）@ VGS = -10 V
- RDS(ON) = 140 mΩ（最大值）@ VGS = -4.5 V
- 超高密度单元设计
- SOT - 23
应用领域
- 便携式设备
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