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KMA3D0N20SA-RTK/P
1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- N沟道 20V 3A
- 品牌名称
- KEC
- 商品型号
- KMA3D0N20SA-RTK/P
- 商品编号
- C147286
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@2.5V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品概述
这款沟槽 MOSFET 具备更优异的特性，如开关时间快、导通电阻低、栅极电荷低以及出色的雪崩特性。它主要适用于便携式设备。
商品特性
- VDSS = 20 V， ID = 3 A
- 超高密度单元设计
- SOT - 23
应用领域
- 便携式设备