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TN0110N3-G
1个N沟道 耐压:100V 电流:350mA
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TN0110N3-G
- 商品编号
- C145749
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.241克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@4.5V,250mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 60pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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