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2N7002T-7-F
1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- 2N7002T-7-F
- 商品编号
- C139445
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5Ω@10V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-超小型表面贴装封装-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- DC-DC转换器-电源管理功能-电池供电系统和固态继电器-驱动器:继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器、晶体管等