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KIA10N65H
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 描述
- N沟道 10A 650V
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KIA10N65H
- 商品编号
- C135550
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
商品概述
KIA10N65H N沟道增强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如高效开关模式电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 在VGS = 10 V时，RDS(导通) = 0.65 Ω
- 低栅极电荷（典型值48nC）
- 快速开关能力
- 规定了雪崩能量
- 改善了dv/dt能力