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R1LV0208BSA-5SI#B1
R1LV0208BSA 5SI#B1
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- 描述
- R1LV0208BSA 是一系列低压 2 Mbit 静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为 262,144 字×8 位，采用高性能 0.15um CMOS 和 TFT 技术制造。R1LV0208BSA 实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- R1LV0208BSA-5SI#B1
- 商品编号
- C1353806
- 商品封装
- STSOP-32-11.8mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 存储容量 | 2Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 55ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 1uA |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 技术 | SRAM |
| 存储器格式 | SRAM |
| 供应商器件封装 | 32-sTSOP |
| 存储容量 | 2Mb（256K x 8） |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 访问时间 | 55ns |
| 电压-供电 | 2.7V ~ 3.6V |
优惠活动
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