- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT49H16M36SJ-18 IT:B
MT49H16M36SJ 18 IT:B
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- 品牌名称
- micron(美光)
- 商品型号
- MT49H16M36SJ-18 IT:B
- 商品编号
- C1353152
- 商品封装
- FBGA-144(11x18.5)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 动态随机存取存储器(DRAM) | |
| 工作电流 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 刷新电流 | 320mA |
商品特性
- 533 MHz DDR 操作（1.067 Gb/s/引脚数据速率）
- 38.4 Gb/s 峰值带宽（在 533 MHz 时钟频率下为 x36）
- 组织形式：64 Meg x 9、32 Meg x 18 和 16 Meg x 36 I/O
- 8 个存储体
- 缩短的周期时间（533 MHz 时为 15ns）
- 非复用地址（提供地址复用选项）
- SRAM 型接口
- 可编程的读取延迟（RL）、行周期时间和突发序列长度
- 平衡的读取和写入延迟，以优化数据总线利用率
- 写入命令的数据掩码
- 差分输入时钟（CK、CK#）
- 差分输入数据时钟（DKx、DKx#）
- 片上 DLL 生成 CK 边缘对齐的数据和输出数据时钟信号
- 数据有效信号（QVLD）
- 32ms 刷新（每个存储体 16K 刷新；每 32ms 必须总共发出 128K 刷新命令）
- HSTL I/O（标称 1.5V 或 1.8V）
- 25 - 60Ω 匹配阻抗输出
- 2.5V V_EXT、1.8V V_DD、1.5V 或 1.8V V_DDQ I/O
- 片上终端（ODT）R_TT
- 34LC02-E/P
- 34VL02/SN
- IS46DR16320E-25DBLA2
- 71V424S12YGI
- 70V639S12BCI
- 24LC04BH-E/ST
- 93AA76A-I/SN
- 70V639S12BFI
- 71V416S15BEG
- 71V416S12BEG
- 93AA76C-I/SN
- 93C76C-I/SN
- IS61VPS204836B-250M3L
- 24AA16-E/SN
- AS7C32098A-10TIN
- 7133LA20PFG
- 71V67603S150PFGI
- IS42SM16160K-75BLI
- IS61LPS204836B-166TQLI
- IS42RM16160K-75BLI
- IS61LF204836B-7.5TQLI