MT49H32M18SJ-25E:B
MT49H32M18SJ 25E:B
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT49H32M18SJ-25E:B
- 商品编号
- C1353231
- 商品封装
- FBGA-144(11x18.5)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 动态随机存取存储器(DRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置DLL;JTAG边界扫描功能 |
商品特性
- 533 MHz DDR 操作(1.067 Gb/s/引脚数据速率)
- 38.4 Gb/s 峰值带宽(在 533 MHz 时钟频率下为 x36)
- 组织形式:64 Meg x 9、32 Meg x 18 和 16 Meg x 36 I/O
- 8 个存储体
- 缩短的周期时间(533 MHz 时为 15ns)
- 非复用地址(提供地址复用选项)
- SRAM 型接口
- 可编程的读取延迟(RL)、行周期时间和突发序列长度
- 平衡的读取和写入延迟,以优化数据总线利用率
- 写入命令的数据掩码
- 差分输入时钟(CK、CK#)
- 差分输入数据时钟(DKx、DKx#)
- 片上 DLL 生成 CK 边缘对齐的数据和输出数据时钟信号
- 数据有效信号(QVLD)
- 32ms 刷新(每个存储体 16K 刷新;每 32ms 必须总共发出 128K 刷新命令)
- HSTL I/O(标称 1.5V 或 1.8V)
- 25 - 60Ω 匹配阻抗输出
- 2.5V V_EXT、1.8V V_DD、1.5V 或 1.8V V_DDQ I/O
- 片上终端(ODT)R_TT
- MT49H16M36SJ-25E:B
- 24AA025E48-E/SN
- AS7C38098A-10TIN
- IS61DDB21M18C-250M3L
- AT28C256-25UM/883-815
- 71T75802S200PFG
- 34LC02-E/SN
- MT44K16M36RB-107E:B
- IS61VPS204836B-250B3L
- 24AA16/P
- 93C46B-E/P
- HTEE25608
- CY7C4142KV13-933FCXI
- 93LC46C-E/MS
- HTEE25608D
- 93LC46A-E/P
- IS49NLS93200-25WBLI
- IS49NLC93200-25WBLI
- IS61QDP2B41M18A-400M3L
- 71T75602S133PFGI
- IS61QDP2B251236A-333M3L

