IS43LD16128B-18BLI
IS43LD16128B 18BLI
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- 描述
- 2Gb CMOS LPDDR2 DRAM，内部组织为8个banks，每个banks包含16兆字的16位或8兆字的32位。使用双倍数据率架构实现高速操作，支持低电压核心和I/O电源供应。
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS43LD16128B-18BLI
- 商品编号
- C1352524
- 商品封装
- TFBGA-134(10x11.5)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | SDRAM LPDDR2 | |
| 时钟频率(fc) | 533MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 134-TFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C (TC) |
| 技术 | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 |
| 存储器格式 | DRAM |
| 时钟频率 | 533MHz |
| 供应商器件封装 | 134-TFBGA（10x11.5） |
| 存储容量 | 2Gb（128M x 16） |
| 写周期时间-字，页 | 15ns |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 电压-供电 | 1.14V ~ 1.95V |
优惠活动
购买数量
(171个/托盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个171个/托盘
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