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MT25QL01GBBB8ESF-0AAT
3V多I/O串行闪存存储器
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- 品牌名称
- micron(美光)
- 商品型号
- MT25QL01GBBB8ESF-0AAT
- 商品编号
- C1352146
- 商品封装
- SO-16-300mil
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.577克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；写使能锁存；软件写保护 |
商品特性
- 堆叠设备（两个512Mb裸片）
- SPI兼容串行总线接口
- 单和双传输速率（STR/DTR）
- 时钟频率：STR中所有协议最高133 MHz；DTR中所有协议最高90 MHz
- 双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s
- 支持的协议：扩展、双和四I/O（STR和DTR）
- 即地执行（XIP）
- 编程/擦除暂停操作
- 易失性和非易失性配置设置
- 软件复位
- 部分型号有额外复位引脚
- 3字节和4字节地址模式，可实现超过128Mb的内存访问
- 主内存外有专用64字节OTP区域，可读且用户可锁定
- 擦除能力：芯片擦除；64KB统一粒度扇区擦除；4KB、32KB粒度子扇区擦除
- 擦除性能：64KB扇区为400KB/秒
- 擦除性能：4KB子扇区为80KB/秒
- 编程性能：2MB/秒
- 安全和写保护：每个64KB扇区有易失性和非易失性锁定及软件写保护；非易失性配置锁定；密码保护；硬件写保护，非易失性位（BP[3:0]和TB）定义受保护区域大小；上电期间编程/擦除保护；CRC检测原始数据意外更改
- 电子签名：JEDEC标准3字节签名（BA21h）；扩展设备ID：额外两个字节识别设备工厂选项
- 符合JESD47H标准：每个扇区最少100,000次擦除循环；数据保留：典型值20年
- IS64WV12816EDBLL-10CTLA3
- IS42S86400F-7TL
- 71V3559S80BG
- IS64LV25616AL-12BLA3
- 71V65703S80PFG
- IS45S16160J-6CTLA1
- IS45S16320F-7TLA1
- IS45S16800F-7CTLA2
- AS8C803601-QC150N
- IS46LR32160C-6BLA1
- IS61WV51216EDALL-20BLI
- DS1220AB-100IND+
- IS46R16160F-6TLA2
- IS61WV102416FBLL-8TLI
- IS61LP6436A-133TQLI
- IS42RM32800K-6BLI
- IS43LR32320B-6BLI
- IS42S32400F-6BL
- IS61LF6436A-8.5TQLI
- IS41LV16100D-50TLI
- 71V35761S166PFG