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IS61WV25616BLS-25TLI实物图
  • IS61WV25616BLS-25TLI商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IS61WV25616BLS-25TLI

IS61WV25616BLS 25TLI

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描述
是高速、4,194,304 位静态随机存取存储器,组织为 262,144 字 x 16 位。采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,可生产出高性能、低功耗的器件。当 CE 为高电平(未选中)时,器件进入待机模式,此时通过 CMOS 输入电平可降低功耗。通过使用片选和输出使能输入 CE 和 OE,可轻松实现内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。数据字节允许高字节 (UB) 和低字节 (LB) 访问。采用 JEDEC 标准 44 引脚 TSOP II 型和 48 引脚 Mini BGA(6mm x 8mm)封装。
品牌名称
ISSI(美国芯成)
商品型号
IS61WV25616BLS-25TLI
商品编号
C1351896
商品封装
TSOPII-44-10.2mm​
包装方式
托盘
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
存储容量4Mbit
工作电压2.4V~3.6V
读写时间25ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流25mA
待机电流2mA
安装类型表面贴装型
封装/外壳44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
技术SRAM - 异步
存储器格式SRAM
供应商器件封装44-TSOP II
存储容量4Mb(256K x 16)
写周期时间-字,页25ns
存储器类型易失
存储器接口并联
访问时间25ns
电压-供电2.4V ~ 3.6V

数据手册PDF

优惠活动

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(135个/托盘,最小起订量 1 个)
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