IS62LV256AL-20TLI
IS62LV256AL 20TLI
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- 描述
- 是一款高速、低功耗的32,768字×8位静态RAM,采用高性能CMOS技术制造。这种高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合,可实现最快15 ns的访问时间。当CE为高电平(未选中)时,设备进入待机模式,在CMOS输入电平下功耗降至150 μW(典型值)。通过使用低电平有效芯片使能(CE)可轻松进行内存扩展。低电平有效写使能(WE)控制存储器的读写操作。有JEDEC标准的28引脚SOJ、28引脚SOP和28引脚TSOP(I型)封装。
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS62LV256AL-20TLI
- 商品编号
- C1352060
- 商品封装
- TSOPI-28-8.0mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 2.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 工作电压 | 2.97V~3.63V | |
| 读写时间 | 20ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 25mA | |
| 待机电流 | 20uA |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
| 技术 | SRAM - 异步 |
| 存储器格式 | SRAM |
| 供应商器件封装 | 28-TSOP I |
| 存储容量 | 256Kb(32K x 8) |
| 写周期时间-字,页 | 20ns |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 访问时间 | 20ns |
优惠活动
购买数量
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