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IS62LV256AL-20TLI实物图
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IS62LV256AL-20TLI

IS62LV256AL 20TLI

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
是一款高速、低功耗的32,768字×8位静态RAM,采用高性能CMOS技术制造。这种高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合,可实现最快15 ns的访问时间。当CE为高电平(未选中)时,设备进入待机模式,在CMOS输入电平下功耗降至150 μW(典型值)。通过使用低电平有效芯片使能(CE)可轻松进行内存扩展。低电平有效写使能(WE)控制存储器的读写操作。有JEDEC标准的28引脚SOJ、28引脚SOP和28引脚TSOP(I型)封装。
品牌名称
ISSI(美国芯成)
商品型号
IS62LV256AL-20TLI
商品编号
C1352060
商品封装
TSOPI-28-8.0mm​
包装方式
托盘
商品毛重
2.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
存储容量256Kbit
工作电压2.97V~3.63V
读写时间20ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流25mA
待机电流20uA
安装类型表面贴装型
封装/外壳28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽)
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
技术SRAM - 异步
存储器格式SRAM
供应商器件封装28-TSOP I
存储容量256Kb(32K x 8)
写周期时间-字,页20ns
存储器类型易失
存储器接口并联
访问时间20ns

数据手册PDF

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