SST39SF020A-70-4C-NHE
1 Mbit/2 Mbit/4 Mbit 多功能闪存
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- 描述
- CMOS多功能闪存采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造。分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器比其他方法具有更好的可靠性和可制造性。器件使用4.5-5.5V电源进行写入(编程或擦除),符合x8存储器的JEDEC标准引脚排列。具有高性能字节编程功能,提供最大20μs的字节编程时间。这些器件使用Toggle Bit或Data# Polling来指示编程操作完成。为防止意外写入,它们具有片上硬件和软件数据保护方案
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- SST39SF020A-70-4C-NHE
- 商品编号
- C1349813
- 商品封装
- PLCC-32(11.5x14)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 2Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 14MHz | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 待机电流 | 30uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 100年 | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 32-LCC(J 形引线) |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C(TA) |
| 技术 | 闪存 |
| 存储器格式 | 闪存 |
| 供应商器件封装 | 32-PLCC(11.43x13.97) |
| 存储容量 | 2Mb(256K x 8) |
| 写周期时间-字,页 | 20?s |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 访问时间 | 70ns |
| 电压-供电 | 4.5V ~ 5.5V |
优惠活动
购买数量
(30个/管,最小起订量 1 个)个
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