R1LV0108ESA-5SI#B1
R1LV0108ESA 5SI#B1
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- R1LV0108E 系列是一组低压 1 Mbit 静态随机存取存储器(SRAM),采用高性能 0.15um CMOS 和 TFT 技术制造,组织形式为 131,072 字×8 位。R1LV0108E 系列实现了更高的密度、更高的性能和低功耗。
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- R1LV0108ESA-5SI#B1
- 商品编号
- C1349308
- 商品封装
- STSOP-32-11.8mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 读写时间 | 55ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 2uA | |
| 功能特性 | - |
- R1LP0108ESA-5SI#B1
- S25FL512SAGBHIC10
- AS4C16M16MSA-6BIN
- AS4C128M16D3B-12BCN
- 23A1024-I/SN
- M95080-WMN6P
- AS4C64M8D3-12BCN
- IS25WP128-JLLE-TR
- AS4C64M8D3L-12BCN
- 25LC080D-E/SN
- IS43TR16128D-125KBL
- IS61NLP51236B-200B3LI
- AS4C32M16D1-5BCN
- IS43TR16128DL-125KBL
- AS4C64M8D3L-12BIN
- AS7C34098B-10BIN
- AS4C32M16D3L-12BIN
- AS4C32M16D3-12BIN
- AS1C4M16PL-70BIN
- AS6C8008-55ZIN
- 24CW160-I/SN
