DS1270Y-70#
16M非易失SRAM
- 商品型号
- DS1270Y-70#
- 商品编号
- C1348964
- 商品封装
- EDIP-36
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
DS1270 16M非易失性SRAM是16777216位全静态非易失性SRAM,组织结构为2097152字×8位。每片NV SRAM自带锂能源和控制电路,持续监测VCC是否出现超出容差的情况。当该情况发生时,锂能源会自动接通,无条件启用写保护以防止数据损坏。可执行的写周期数量没有限制,微处理器接口无需额外支持电路。
商品特性
- 无外部电源情况下数据保留时间最低5年
- 掉电期间数据自动保护
- 无限次写循环
- 低功耗CMOS工作
- 读写访问时间为70 ns
- 首次通电前锂能源电气断开以保持能源新鲜度
- DS1270Y支持全±10% VCC工作范围
- DS1270AB可选±5% VCC工作范围
- 可选工业温度范围为-40℃至+85℃,标记为IND
- DS1249AB-70#
- DS1245AB-120+
- IS43DR16128C-25DBL
- 93AA86C-I/ST
- 71V424S12PHGI
- S26KL256SDABHI020
- IS66WVE2M16EBLL-70BLI
- IS61C25616AS-25TLI
- MT41K512M8DA-107 XIT:P
- IS61C6416AL-12TLI
- 24LC64-E/SN
- 24LC512-E/SM
- 24LC512-E/SN
- 23LC512-I/SN
- 24AA32AF-I/MS
- AT27LV256A-90JU
- CY7C1315KV18-250BZXC
- 25LC040A-I/SN
- 24LC32A-I/P
- 24AA64-I/SN
- AS4C32M16D1A-5TIN


