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HA9P5320-5Z

1 微秒精密采样保持放大器

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描述: HA - 5320专为精密、高速数据采集系统设计。该电路由一个能够提供大量充电电流的输入跨导放大器、一个低泄漏模拟开关和一个输出积分放大器组成。模拟开关将虚地作为其负载；因此，在整个输入/输出电压范围内，保持电容上的电荷注入是恒定的。通过使用失调调节输入，可以将这种电荷注入产生的基底电压调节为零。该器件包含一个保持电容。然而，如果需要以牺牲采集时间为代价来改善下降率，则可以在外部添加额外的保持电容。这款单片器件采用Intersil介质隔离工艺制造，可将杂散电容降至最低并消除可控硅（SCR）。这使得器件能够实现更高的速度且无闭锁运行。
品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: HA9P5320-5Z
商品编号: C1346297
商品封装: SOIC-16-300mil
包装方式: 管装
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

	属性	参数值
	最大电源宽度(Vdd-Vss)	40V
	输入电压范围	-10V~10V
	输入失调电压温漂(Vos TC)	20uV/℃
	输入失调电流(Ios)	300nA
	共模抑制比(CMRR)	90dB
	增益带宽积(GBP)	2MHz
	保持建立时间	0.165us

商品概述

HA - 5320专为精密、高速数据采集系统设计。该电路由一个能够提供大量充电电流的输入跨导放大器、一个低泄漏模拟开关和一个输出积分放大器组成。模拟开关将虚地作为其负载；因此，在整个输入/输出电压范围内，保持电容上的电荷注入是恒定的。通过使用失调调节输入，可以将这种电荷注入产生的基底电压调节为零。该器件包含一个保持电容。然而，如果需要以牺牲采集时间为代价来改善下降率，则可以在外部添加额外的保持电容。这款单片器件采用Intersil介质隔离工艺制造，可将杂散电容降至最低并消除可控硅（SCR）。这使得器件能够实现更高的速度且无闭锁运行。

商品特性

直流增益：2×10⁶ V/V
采集时间：1.0µs（0.01%）
下降率：0.08µV/µs（+25℃），17µV/µs（全温度范围）
孔径时间：25ns
保持阶跃误差（见术语表）：5mV
内置保持电容
全差分输入
TTL兼容
提供无铅产品（符合RoHS标准）

应用领域

精密数据采集系统
数模转换器去毛刺器
自动调零电路
峰值检测器

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	属性	参数值
	商品目录	采样/保持放大器
	采集时间	1us
	下降率	0.08uV/us
	孔径抖动	25ns
	输入失调电压(Vos)	500uV
	输入偏置电流(Ib)	100nA
	压摆率(SR)	45V/us
	工作温度	0℃~+75℃