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CZT5551 TR

NPN 电流:600mA 电压:160V

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描述: CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CZT5551型是一款采用外延平面工艺制造的NPN硅晶体管，采用环氧树脂模塑封装，为表面贴装形式，适用于高压放大器应用。
品牌名称: Central(中环)
商品型号: CZT5551 TR
商品编号: C13636
商品封装: SOT-223
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1克(g)

商品参数

晶体管类型：NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：600mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：160V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：80 @ 10mA，5V
功率 - 最大值：2W
频率 - 跃迁：300MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223

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	属性	参数值
	商品目录	三极管(BJT)
	晶体管类型	NPN
	集电极电流(Ic)	600mA
	集射极击穿电压(Vceo)	160V
	耗散功率(Pd)	2W
	直流电流增益(hFE)	80@10mA,5V

	属性	参数值
	特征频率(fT)	100MHz
	集电极截止电流(Icbo)	50uA
	集射极饱和电压(VCE(sat))	200mV@50mA,5mA
	工作温度	-65℃~+150℃
	射基极击穿电压(Vebo)	6V
	数量	1个NPN