ATSAML10D15A-MU
具备TrustZone、加密功能和增强型PTC的超低功耗32位Cortex-M23微控制器
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- 描述
- 特性:工作条件:1.62V 至 3.63V,-40℃ 至 +125℃,DC 至 32 MHz。 内核:32 MHz(2.64 CoreMark/MHz 和高达 31 DMIPS)Arm Cortex-M23,具备单周期硬件乘法器、硬件除法器、嵌套向量中断控制器 (NVIC)、内存保护单元 (MPU)、堆栈限制检查、TrustZone® for ARMv8-M(可选)。 系统:具备上电复位 (POR) 和可编程欠压检测 (BOD)、8 通道直接内存访问控制器 (DMAC)、8 通道事件系统用于外设间独立于内核的操作、CRC-32 生成器。 内存:16/32/64-KB Flash、4/8/16-KB SRAM、2-KB 数据闪存读写同步 (WWR) 部分用于非易失性数据存储、256 字节具备物理保护功能的 TrustRAM。 时钟管理:灵活的时钟分配,针对低功耗进行优化,具备 32.768 kHz 晶体振荡器、32.768 kHz 超低功耗内部 RC 振荡器、0.4 至 32 MHz 晶体振荡器、16/12/8/4 MHz 低功耗内部 RC 振荡器、超低功耗数字锁相环 (DFLLULP)、32-96 MHz 分数数字锁相环 (FDPLL96M)、一个频率计。 低功耗和电源管理:具备活动、空闲、带部分或全部 SRAM 保留的待机和关机睡眠模式;活动模式 (<25 μA/MHz);空闲模式 (<10 μA/MHz),唤醒时间 1.5 μs;带全 SRAM 保留的待机模式 (0.5 μA),唤醒时间 5.3 μs;关机模式 (<100 nA);静态和动态电源门控架构;睡眠行走外设;两个性能级别;嵌入式降压/低压差 (LDO) 稳压器,可实时选择。 安全:多达四个用于静态和动态入侵检测的数据闪存防篡改引脚;针对安全存储进行优化;具备用户定义密钥的地址和数据加扰(可选);对加扰密钥和一个用户定义行进行快速防篡改擦除;用于数据读取降噪的静默访问。 TrustRAM:具备用户定义密钥的地址和数据加扰;对物理 RAM 进行芯片级防篡改检测以抵抗微探测攻击;对加扰密钥和 RAM 数据进行快速防篡改擦除;用于数据读取降噪的静默访问;防止数据残留
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- ATSAML10D15A-MU
- 商品编号
- C1338323
- 商品封装
- QFN-24-EP(4x4)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 单片机(MCU/MPU/SOC) | |
| CPU内核 | ARM Cortex-M23 | |
| CPU最大主频 | 32MHz | |
| CPU位数 | 32 Bit | |
| 程序存储容量 | 32KB | |
| 程序存储器类型 | FLASH | |
| RAM容量 | 8KB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| EEPROM容量 | 2KB | |
| I/O数量 | 17 | |
| ADC(位数) | 12bit | |
| DAC(位数) | 10bit | |
| 振荡器类型 | 内置 | |
| 工作电压 | 1.62V~3.63V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| EEPROM容量 | 2K x 8 |
| 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.62V ~ 3.63V |
| 外设 | 欠压检测/复位,DMA,POR,PWM,WDT |
| I/O数 | 17 |
| 程序存储器类型 | 闪存 |
| 程序存储容量 | 32KB(32K x 8) |
| RAM大小 | 8K x 8 |
| 内核规格 | 32-位 |
| 封装/外壳 | 24-VFQFN 裸露焊盘 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
| 供应商器件封装 | 24-VQFN(4x4) |
| 数据转换器 | A/D 5x12b; D/A 1x10b |
| 核心处理器 | ARM? Cortex?-M23 |
| 振荡器类型 | 内部 |
优惠活动
购买数量
(490个/托盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个490个/托盘
总价金额:
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