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HY5110W实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HY5110W

1个N沟道 耐压:100V 电流:316A

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描述
N沟道场效应管 100V 316A N-MOSFET 导通电阻2.1mR TO-247-3
品牌名称
HUAYI(华羿微)
商品型号
HY5110W
商品编号
C128014
商品封装
TO-247A-3L​
包装方式
管装
商品毛重
7.833克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)316A
导通电阻(RDS(on))2.5mΩ@10V,158A
耗散功率(Pd)500W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)356nC@10V
输入电容(Ciss)16.465nF
反向传输电容(Crss)850pF
工作温度-
类型-
输出电容(Coss)1.558nF

商品特性

  • 100V/316A
  • RDS(ON) = 2.1mΩ(典型值),VGS = 10V
  • 雪崩额定
  • 可靠且耐用
  • 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)

应用领域

  • 逆变器系统电源管理

数据手册PDF